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• 真空環(huán)境準(zhǔn)備：離子濺射儀需在高度真空環(huán)境中操作，通常真空度達(dá)到10-1至10-2托（Torr），以減少背景氣體對(duì)濺射過程的影響，保證薄膜質(zhì)量。
• 輝光放電產(chǎn)生：在真空室內(nèi)設(shè)置靶材（陰極）和基底（陽極），兩電極間施加高壓，使真空室內(nèi)的少量氣體分子電離形成等離子體，產(chǎn)生輝光放電。
• 離子轟擊與濺射：在輝光放電條件下，等離子體中的正離子被加速并轟擊靶材表面。當(dāng)正離子能量足夠高時(shí)，可克服靶材表面原子的結(jié)合能，使金屬原子脫離靶材表面進(jìn)入真空空間。
• 薄膜沉積：濺射出的金屬原子向四周擴(kuò)散，部分到達(dá)基底表面沉積下來，逐漸形成連續(xù)的金屬薄膜。通過調(diào)整工作參數(shù)（如氣壓、功率等）可精確控制薄膜的厚度與質(zhì)量。